直击北京车展碳化硅上车蔚然成风芯联集成碳化硅产品跻身国内头部阵营

2026-03-17 14:43:17 壹问财经李辉

4月25日，以“新时代新汽车”为主题的2024北京车展拉开帷幕，“新能源汽车”成最大亮点。来自北京车展主办方的信息显示，此次参展的新能源车型多达278个，其中，800V高压平台上车成为今年车展的一大看点，搭载800V架构的全新问界M5、享界S9、蔚来乐道L60、极氪MIX、星途星纪元ET等车型纷纷亮相。

2023年以来，众多车企在新能源汽车的续航里程与补能速度上发力，800V车型由此接踵落地，这进一步加速碳化硅规模上车。800V系统平台搭载碳化硅，能有效缓解续航和补能焦虑，因此两者被称为“绝配CP”。

图注：芯联集成6英寸碳化硅平面MOS芯片

主要用于新能源汽车主驱逆变器

作为稀缺的一站式芯片系统代工解决方案供应商，2023年，芯联集成6英寸碳化硅晶圆厂出货规模已超过月产5000片，且出货量位列中国SiC MOS规模量产出货前列。芯联集成自去年开始量产平面SiC MOS以来，实现了90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器。

碳化硅上车，带来整车效率质的飞跃

随着新能源汽车市场发展的高歌猛进，整车厂都希望提高车辆的表现力，包括更快的充电时间、更持久的续航里程，以及优质的驾乘体验等等，以获得更多市场竞争力，而碳化硅的存在就尤为重要。

碳化硅应用于新能源汽车内部的关键电力系统，包括主驱逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。与传统硅基器件相比，作为第三代半导体技术，碳化硅因其耐高压、高开关频率、耐高温和低导通损耗等特点，可实现更高的系统效率、更低的损耗和空间小型化，因此在电能转换中得到大规模应用。

芯联集成具备碳化硅产品全栈能力，性能比肩国际先进水平

当下，在碳化硅芯片集中上量的主驱逆变器应用领域，芯联集成已把握先机，成功跻身于国内头部阵营。

技术不断创新，产品快速迭代是芯联集成在短时间内取得市场突破的最大驱动力。从启动碳化硅产线预研，到大批量出货，芯联集成用了三年时间，迭代了三代SiC MOS产品，最新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽车主驱应用量产，具备国际领先的芯片能力。

特别值得一提的是，在备受碳化硅需求应用端关注而又为之苦恼的良率方面，芯联集成第三代1200V SiC MOS达到业界领先的水平。

同时，在影响碳化硅器件性能、故障率和寿命的温度方面，芯联集成第三代1200V SiC MOS支持200℃的工作结温，而且具有更好的高温性能：

● 25℃Rdson @13mohm

● 150℃Rdson@19.2mohm

● 175℃Rdson@21.5mohm

除了这些优势，芯联集成第三代1200V SiC MOS还支持门极负压关断（推荐门极工作电压-5V/18V），且已通过AQG-324可靠性验证标准，以及加严的DGS、DRB (动态HTGB、动态HTRB)可靠性验证。

及时响应整车厂对于碳化硅的应用需求，芯联集成不仅能提供碳化硅芯片代工，同时具备了从设计、制造到封装、测试的全栈能力，公司可提供包含设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证、可靠性测试的一站式芯片及系统代工解决方案，能灵活满足不同整车厂的需求。

芯联集成生产的车载SiC模块，采用高性能的平面栅形SiC MOSFET芯片的灌封和塑封封装技术，产品覆盖750V-1200V全系列，可以分别满足400V和800V车载系统的需求，产品规格如下图，性能比肩国际碳化硅厂商水平。

图注：芯联集成碳化硅模块系列产品

图注：芯联集成单面散热塑封全桥SiC模块，主要用于新能源汽车主驱逆变器等

长板优势已显，未来更为可期。据悉，芯联集成的国内首条8英寸晶圆研发线将于2024年底通线，届时8英寸晶圆带来的成本与产能优势，将更好地满足车企对“增效降本”的追求。

芯联集成碳化硅

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