手机也要上HBM芯片?三星计划推出移动版HBM,预计首款产品2028年上市
近年来,随着AI的兴起,一种具有高带宽低功耗特征的存储芯片——HBM芯片也随之爆火,包括 NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片。现在,三星计划进一步扩大HBM芯片的使用范围,将其带到手机市场。
据韩国首尔经济日报报道,三星电子半导体暨装置解决方案(DS)部门首席技术官宋在赫表示,搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM,大幅增加I/O接口,可减少耗电量并提高性能,采用垂直引线键合的新封装技术,被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上,较现有的LPDDR5x提升166%。
据了解,HBM为High Bandwidth Memory缩写,意即高带宽内存。这是一种基于3D堆叠技术的高性能动态随机存取存储器(DRAM),专为需要极高数据带宽的应用设计。它通过垂直堆叠多层DRAM芯片,利用**硅通孔(TSV)和中介层(Interposer)**实现与处理器(如GPU、CPU、AI加速器)的高速互联,显著提升内存带宽和能效。
举例来说,单颗HBM芯片带宽可达数百GB/s至数TB/s(例如HBM3单堆栈带宽达819 GB/s);同时,相比GDDR6,得益于短距离互连和先进制程,HBM在相同带宽下功耗降低约50%。
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